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作者：李心慰 曲殿利 李志堅(jiān) 吳鋒 徐娜

作者單位：遼寧科技大學(xué) 高溫材料與鎂資源工程學(xué)院 遼寧鞍山 114044

刊名：

ISSN：1001-1935

出版年：2011-01-01

卷：

期：02

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分類號(hào)：

語(yǔ)種：中文

關(guān)鍵詞：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

    以硅灰、白炭黑、硅溶膠為硅源，炭黑為碳源，采用碳熱還原法合成碳化硅晶須，通過(guò)XRD及SEM對(duì)合成產(chǎn)物的物相及形貌進(jìn)行分析，探討了合成溫度（分別為1 400、1 450、1 500、1 550 ℃）、硅源、n（C）：n（SiO2）對(duì)合成碳化硅晶須的影響。結(jié)果表明：n（C）：n（SiO2）為2.4~3.6，合成溫度為1 500 ℃，保溫3 h時(shí)，硅溶膠與炭黑反應(yīng)沒(méi)有生成碳化硅晶須，硅灰、白炭黑與炭黑反應(yīng)均生成碳化硅晶須；以硅灰為硅源合成碳化硅晶須的質(zhì)量及數(shù)量明顯優(yōu)于以白炭黑為硅源合成碳化硅晶須；合成碳化硅晶須的最佳n（C）：n（SiO2）為3.3。